四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體。

可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、

泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。

四氟化碳貯存注意事項(xiàng)

1. 氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。

2. 氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬，與明火距離一般應(yīng)該不小于10米，氣瓶不得撞擊。

3. 氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。